硅碳棒

         硅碳棒(SiC),在空气中,1000℃以下氧化极慢,1350℃时氧化显著,在1350～1500℃间生成SiO_2,而SiO₂在1700℃左右熔化,生成的SiO₂在熔化时覆盖在SiC上面,阻碍SiC再继续氧化.硅碳棒的氧化主要表现为其电阻增加,在使用60～80h后,其电阻增加15%～20%,以后逐渐减缓，这种现象称为“老化”.硅棒老化后电流就要下降,要使功率保持不变必须提高电压，所以硅碳棒电炉需设调压装置.经长期加热，硅碳棒的电阻越来越大，最后终于大到不能再继续使用而废弃。硅碳棒的安全使用温度达1600℃.一般硅碳棒在空气气氛下,炉温在1400℃时,连续使用寿命约为2000h以上,间断使用为1000h以上.炉温在1000℃时,使用寿命可达5000h左右.硅碳棒在低温时,其电阻与温度成反比,约在800℃时,其电阻温度特性由负变为正;在800℃以上,其电阻与温度成正比。